中科院亮相國際半導體展 展示厚實研發實力

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國家中山科學研究院,一連三天參與在台北南港展覽館舉辦的「2021 SEMICON Taiwan國際半導體展」,主展項目有氮化鋁均溫板、氮化鎵磊晶&製程晶圓&功率放大器及4吋半絕緣碳化矽晶圓(碇)等多項科技研發成果,呈現該院化合物半導體領域之科研能量與實力。

中科院化學研究所開發的「氮化鋁均溫板」,採用高熱導陶瓷載板配合均溫板技術,整合陶瓷基板與金屬均溫板設計,使得金屬與陶瓷基板得緊密接合,減少熱應力產生的缺陷,使得熱擴散得以提高,更能有效提高散熱效率。

由材電所研發的「氮化鎵磊晶、製程晶圓、功率放大器」,具有鐵摻雜之氮化鎵磊晶層可做為半導體元件之絕緣層,有效降低高遷移率電晶體(HEMTs)漏電流現象,達到高崩潰電壓要求,藉由調控成長條件下(例如:溫度、壓力),進行不同參雜濃度之氮化鎵磊晶層成長,並在該院化合物半導體中心進行完整氮化鎵自製元件製程開發,成品可應用於5G基站功率放大器。

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另在「4吋半絕緣碳化矽晶圓(碇)」部份,半絕緣碳化矽可用於第五代(5G)行動通訊所需之大基站與收發模組關鍵零組件,透過寬能隙材料具有較高的熱傳導及較高的工作溫度等特性,有助於5G行動通訊基地台微縮化及普及化,達成高速/大流量之通訊需求。

在展覽期間,中科院亦攜手臺灣經濟研究院,以高功率元件應用研發聯盟名義,與臺灣大學、交通大學、成功大學及臺灣半導體研究中心策略合作,藉以促進我國功率電子相關產業與國內外產業鏈技術交流,並帶動國內相關技術供應鏈合作。

來源鏈接:工商時報 https://ctee.com.tw/industrynews/technology/572209.html

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